Статус
нашего
сайта:
ICQ Secrets Center is Online  ICQ Information Center


ICQ SHOP
     5-значные
     6-значные
     7-значные
     8-значные
     9-значные
     Rippers List
ОПЛАТА
СТАТЬИ
СЕКРЕТЫ
HELP CENTER
OWNED LIST
РОЗЫСК!New!
ICQ РЕЛИЗЫ
Протоколы ICQ
LOL ;-)
Настройка компьютера
Аватарки
Смайлики
СОФТ
     Mail Checkers
     Bruteforces
     ICQTeam Soft
     8thWonder Soft
     Other Progs
     ICQ Patches
     Miranda ICQ
ФорумАрхив!
ВАШ АККАУНТ
ICQ LiveJournal

Реклама

Наш канал:

irc.icqinfo.ru

Скотт Мюлле- Модернизация и ремонт ПК стр.396


Скотт Мюлле- Модернизация и ремонт ПК стр.396

Поскольку транзисторы для каждого бита в микросхеме памяти размещены в узлах решетки, наиболее рационально адресовать каждый транзистор, используя номер столбца и строки. Сначала выбирается строка, затем столбец адреса и, наконец, пересылаются данные. Начальная установка строки и столбца адреса занимает определенное время, обычно называемое временем задержки или ожиданием. Время доступа для памяти равно времени задержки для выборки столбца и строки адреса плюс продолжительность цикла. Если длительность цикла памяти равна 7,5 нс (133 МГц), а длительность цикла процессора — 1 нс (1 ГГц), то процессор должен находиться в состоянии ожидания приблизительно 6 циклов — до 17-го цикла, т.е. до поступления данных. Таким образом, состояния ожидания замедляют работу процессора настолько, что он вполне может функционировать на частоте 133 МГц.

Эта проблема существовала на протяжении всей компьютерной эпохи. Для успешного взаимодействия процессора с более медленной основной памятью обычно требовалось несколько уровней высокоскоростной кэш-памяти. В табл. 6.3 показана зависимость между частотами системных плат и быстродействием различных типов основной памяти или используемых модулей оперативной памяти, а также их влияние на общую пропускную способность памяти.

Таблица 6.3. Модули памяти DRAM и стандарты/пропускная способность шин (прошлое, настоящее и будущее)

Стандарты

Формат

Тип мик-

Тактовая

Количество

Скорость

Ширина

Пропус-

памяти

модуля

росхемы

частота,

циклов

шины

шины

кная

 

памяти

 

МГц

данных

памяти,

памяти,

способ-

       

за такт

миллионов

байт

ность,

         

циклов в

 

Мбайт/с

         

секунду

   

FPM

SIMM

60ns

 

EDO

SIMM

60ns

 

PC66

SDR DIMM

10ns

 

PC100

SDR DIMM

8ns

 

PC133

SDR DIMM

7,5ns

 

1 066

PC1600

DDR DIMM

DDR200

1 600

PC2100

DDR DIMM

DDR266

2 133

PC2400

DDR DIMM

DDR300

2 400

PC2700

DDR DIMM

DDR333

2 666

PC3000

DDR DIMM

DDR366

2 933

PC3200

DDR DIMM

DDR400

3 200

PC3500

DDR DIMM

DDR433

3 466

PC3700

DDR DIMM

DDR466

3 733

PC4000

DDR DIMM

DDR500

4 000

PC4300

DDR DIMM

DDR533

4 266

PC2-3200

DDR2 DIMM

DDR2-400

3 200

PC2-4300

DDR2 DIMM

DDR2-533

4 266

PC2-5400

DDR2 DIMM

DDR2-667

5 333

PC2-6400

DDR2 DIMM

DDR2-800

6 400

RIMM1200

RIMM-16

PC600

1 200

RIMM1400

RIMM-16

PC700

1 400

RIMM1600

RIMM-16

PC800

1 600

RIMM2100

RIMM-16

PC1066

1066

2 133

RIMM2400

RIMM-16

PC1200

1200

2 400

RIMM3200

RIMM-32

PC800

3 200

RIMM4200

RIMM-32

PC1066

1066

4 266

RIMM4800

RIMM-32

PC1200

1200

4 800

RIMM6400

RIMM-64

PC800

6 400

RIMM8500

RIMM-64

PC1066

1066

8 533

RIMM9600

RIMM-64

PC1200

1200

9 600

ns (нс) — наносекунды.

EDO — Extended Data Out (расширенные возможности вывода данных).

DIMM — Dual Inline Memory Module (модуль памяти с двухрядным расположением выводов).

DDR — Double Data Rate (удвоенная скорость передачи данных).

FPM — Fast Page Mode (быстрый постраничный режим).

SIMM — Single Inline Memory Module (модуль памяти с однорядным расположением выводов). RIMM — Rambus Inline Memory Module (модуль памяти стандарта Rambus).


⇐ Предыдущая страница| |Следующая страница ⇒

.